Name Author
A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures

A. Hospodková, F. Hájek, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Oswald, T. Vaněk, A. Vetushka, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterling, A. Wagner

Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs

T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, V. Jarý, F. Dominec, M. Slavická Zíková, F. Hájek, E. Hulicius, A. Vetushka, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Nikl

GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures — improvement by composition profiling of layers surrounding QD

A. Hospodková, J. Vyskočil, M. Zíková, J. Oswald, J. Pangrác, O. Petříček

Type I–type II band alignment of a GaAsSb/InAs/GaAs quantum dot heterostructure influenced by dot size and strain-reducing layer composition

A. Hospodková, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, J. Oswald, J. Kubištová, K. Kuldová, P. Hazdra, E. Hulicius