1. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, T. Hubáček, J. Oswald, K. Kuldová, F. Hájek, G. Ledoux, C. Dujardin
    Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties
    Journal of Crystal Growth 506 (2019) 8-13.
  2. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, F. Hájek, F. Dominec, N. Florini, Ph. Komninou, G. Ledoux, C. Dujardin
    Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 310-315.
  3. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, V. Jarý, F. Dominec, M. Slavická Zíková, F. Hájek, E. Hulicius, A. Vetuško, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Nikl
    Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
    CrystEngComm 21 (2019) 356-362.
  4. A. Macková, P. Malinský, A. Jagerová, R. Mikšová, Z. Sofer, K. Klímová, M. Mikulics, R. Böttger, S. Akhmadaliev, J. Oswald
    Damage accumulation and implanted Gd and Au position in a- and c-plane GaN
    Thin Solid Films 680 (2019) 102-113.
  5. V. Jakeš, K. Rubešová, J. Havlíček, V. Polák, D. Sedmidubský, J. Oswald
    Preparation of Er-doped Yb3(Al, Fe)5O12 garnets
    Materials Science and Engineering 465 (2019) 1-7.
  6. V. Prokop, L. Střižík, J. Oswald, M. Vlček, L Beneš, S. N. Yannopoulos, B. Frumarová, T. Wágner
    1.5 μm photoluminescence and upconversion photoluminescence in GeGaAsS:Er chalcogenide glass
    Pure and Applied Chemistry 111 (2019) 1-11.
  7. A. Hospodková, T. Hubáček, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Hývl, F. Dominec, G. Ledoux, Ch. Dujardin
    InGaN/GaN Structures: Effect of the Quantum Well Number on the Cathodoluminescent Properties
    physica status solidi (b) 255 (2018) 1700464(1)-1700464(5).
  8. J. Cajzl, B. Akhetova, P. Nekvindová, A. Macková, P. Malinský, J. Oswald, Z. Remeš, M. Varga, A. Kromka
    Co-implantation of Er and Yb ions into single-crystalline and nano-crystalline diamond
    Surface and Interface Analysis 50 (2018) 1218-1223.
  9. J. Cajzl, P. Nekvindová, A. Macková, P. Malinský, J. Oswald, Z. Remeš, M. Varga, A. Kromka, B. Akhetova, R. Böttger, V. Prajzler
    Erbium Luminescence Centres in Single- and Nano-Crystalline Diamond—Effects of Ion Implantation Fluence and Thermal Annealing
    Micromachines 9 (2018) 316-330.
  10. S. Vytykačová, S. Staněk, B. Švecová, M. Míka, J. Oswald, A. Macková, P. Malinský, R. Böttger, R. Yatskiv, P. Nekvindová
    The effect of zinc content on the enhancement Er3+ - Yb3+ luminescence properties in silicate glass matrix.
    Journal of Ceramics 62 (2018) 188-193.
  11. D. Mikolášová, K. Rubešová, V. Jakeš, P. Nekvindová, Z. Zlámalová Cílová, J. Oswald
    Water-soluble polymers as chelating agents for the deposition of Er3+/Yb3+:LiNbO3 waveguiding films
    Journal of Sol-Gel Science and Technology 86 (2018) 274-284.
  12. D. Himics, L. Strizik, J. Oswald, J. Holubová, L. Beneš, S. Slang, B. Frumanová, T. Wagner
    1.2 μm and 1.5 μm near-infrared photoluminescence and visible upconversion photoluminescence in GeGaS:Er3+/Ho3+ glasses under 980 nm excitation.
    Journal of Materials Science 29 (2018) 17314-17322.
  13. L. Střižík, S. N. Yannopoulos, V. Benekou, J. Oswald, M. Pavlista, V. Prokop, T. Wagner, J. Orava
    Photoluminescence in pulsed-laser deposited GeGaSbS:Er films.
    Optical Materials 85 (2018) 246-253.