1. J. Vyskočil, A. Hospodková, O. Petříček, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, J. Oswald, A. Vetuško
    GaAsSb/InAs/(In)GaAs type II quantum dots for solar cell applications
    Journal of Crystal Growth 464 (2017) 64-68.
  2. A. Hospodková, J. Vyskočil, M. Slavická Zíková, J. Oswald, J. Pangrác, O. Petříček
    GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures — improvement by composition profiling of layers surrounding QD
    Materials Research Express 4 (2017) 025502(1)-025502(8).
  3. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Vyskočil, E. Hulicius, J. Oswald, P. Komninou, J. Kioseoglou
    The Metalorganic Vapour Phase Epitaxy Growth of AIIIBV Heterostructures Observed by Reflection Anisotropy Spectroscopy
    Acta Physica Polonica A 129 (2016) A-75-A-78.
  4. A. Hospodková, J. Oswald, J. Pangrác, K. Kuldová, M. Slavická Zíková, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures
    Physica B: Condensed Matter 480 (2016) 14-22.
  5. J. Vyskočil, P. Gladkov, O. Petříček, A. Hospodková, J. Pangrác
    Growth and properties of AIIIBV QD structures for intermediate band solar cells
    Journal of Crystal Growth 414 (2015) 172-176.
  6. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Vyskočil, M. Slavická Zíková, J. Oswald, Ph. Komninou, E. Hulicius
    Growth of InAs/GaAs quantum dots covered by GaAsSb in multiple structures studied by reflectance anisotropy spectroscopy
    Journal of Crystal Growth 414 (2015) 156-160.
  7. A. Hospodková, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, J. Oswald, J. Vyskočil, Ph. Komninou, J. Kioseoglou, N. Florini, E. Hulicius
    Effect of the Lower and Upper Interfaces on the Quality of InAs/GaAs Quantum Dots
    Applied Surface Science 301 (2014) 173-177.
  8. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, J. Pangrác, J. Oswald, K. Kuldová, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Graded GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Crystal Growth 370 (2013) 303-306.
  9. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Vyskočil, J. Oswald, A. Vetuško, O. Caha, P. Hazdra, K. Kuldová, E. Hulicius
    InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
    Journal of Crystal Growth 317 (2011) 39-42.
  10. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, P. Hazdra, K. Kuldová, J. Vyskočil, E. Hulicius
    Influence of strain reducing layers on electroluminescence and photoluminescence of InAs/GaAs QD structures
    Journal of Crystal Growth 315 (2011) 110-113.
  11. J. Oswald, P. Hazdra, K. Kuldová, A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác, J. Vyskočil
    Electro- and photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot structures
    Journal of Physics: Conference Series 245 (2010) 012080(1)-012080(4).
  12. A. Hospodková, E. Hulicius, J. Pangrác, J. Oswald, J. Vyskočil, K. Kuldová, T. Šimeček, P. Hazdra, O.Caha
    InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Crystal Growth 312 (2010) 1383-1387.
  13. I. Matulková, J. Cihelka, J. Vyskočil, Z. Zelinger, E. Hulicius, T. Šimeček, S. Civiš
    Diagnostic and characterization of the VCSEL diodes based on GaSb
    Applied Physics B: Laser and Optics 99 (2010) 333-338.
  14. A. Hospodková, J. Vyskočil, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius, K. Kuldová
    Surface processes during growth of InAs/GaAs quantum dot structures monitored by reflectance anisotropy spectroscopy
    Surface Science 604 (2010) 318-321.
  15. P. Hazdra, J. Oswald, V. Komarnitskyy, K. Kuldová, A. Hospodková, J. Vyskočil, E. Hulicius, J. Pangrác
    InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 μm band.
    IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 6 (2009) 012007-1-012007-4.
  16. E. Hulicius, J. Oswald, J. Pangrác, J. Vyskočil, A. Hospodková, K. Kuldová, K. Melichar, T.Šimeček
    Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures
    Journal of Crystal Growth 310 (2008) 2229-2233.
  17. A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, E. Hulicius, K. Kuldová, J. Vyskočil, K. Melichar, T. Šimeček
    Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
    Journal of Crystal Growth 310 (2008) 5081-5084.