1. L. Prouzová Procházková, R. Král, M. G. Brik, E. Mihóková, R. Kučerková, V. Jarý, V. Babin, F. Hájek, M. Nikl
    Synthesis and characterization of Cs2TeCl6 powder for scintillators
    Journal of Materials Chemistry C 14 (2026) 7709-7719.
  2. L. Prouzová Procházková, F. Hájek, M. Buryi, Z. Remeš, V. Čuba
    Radiation stability of nanocomposite scintillators
    Radiation Physics and Chemistry 237 (2025) 112991(1)-112991(7).
  3. A. Agarwal, R. Roy, F. Hájek, D. K. Sharma, Kateřina Aubrechtová Dragounová, K. Kuldová, J. Čermák, Sarthak Das, Š. Potocký, A. Kromka
    Thickness dependent interplay between trion binding energy and electron density in CVD-grown MoS2
    Physica Scripta 100 (2025) 125497(1)-125497(9).
  4. F. Hájek, Jakub Čížek, Jan Kuriplach, Roman Hrytsak, T. Hubáček, F. Dominec, K. Kuldová, V. Babin, O. Szabó, P. Hubík, Ewa Grzanka, Robert Czernecki, Mike Leszczynski, Maciej Oscar Liedke, Maik Butterling, Eric Hirschmann, Andreas Wagner, A. Hospodková
    Clusters of vacancies in gallium nitride grown by MOCVD
    Journal of Physics-Materials 8 (2025) 045008(1)-045008(13).
  5. M. Buryi, T. Hostinský, F. Hájek, Z. Remeš, A. Prokhorov, S. Chertopalov, L. Landová
    Synthesis of Complex Cesium Lead Bromide Glass Ceramics: Role of Thermal Plasma
    Journal of Electronic Materials 54 (2025) 996-1006.
  6. J. Král, K. Děcká, V. Zabloudil, P. Liška, F. Hájek, M. Horák, V. Čuba, E. Mihóková, E. Auffray
    Towards high loading cesium lead halide nanocomposites for radiation detection
    Journal of Physics-Materials 8 (2025) 015007(1)-015007(13).
  7. A. Söll, E. Lopriore, A. Ottesen, J. Luxa, G. Pasquale, J. Sturala, F. Hájek, V. Jarý, D. Sedmidubský, K. Mosina, I. Sokolović, S. Rasouli, T. Grasser, U. Diebold, A. Kis, Z. Sofer
    High-κ Wide-Gap Layered Dielectric for Two-Dimensional van der Waals Heterostructures
    ACS Nano 18 (2025) 10397-10406.
  8. F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, V. Vaněček, T. Hubáček, A. Hospodková, F. Dominec, T. Košutová
    Response of InGaN/GaN multiple quantum well structure to UV-C and vacuum UV optical excitation
    Journal of Luminescence 269 (2024) 120463(1)-120463(6).
  9. M. Buryi, V. Babin, K. Děcká, K. Pekárková, N. Neykova, F. Hájek, Z. Velkov, Z. Remeš, R. Tomala, P. Socha, K. Bartosiewicz, T. Hostinský, P. Mošner j, T. Yamamoto, Chong-Geng Ma, M. G. Brik
    Charge trapping and luminescence of the mixed size CsPbBr3 particles grown in one batch
    Optical Materials 151 (2024) 115279(1)-115279(12).
  10. I. Villa, A. Monguzzi, R. Lorenzi, M. Orfano, V. Babin, F. Hájek, K. Kuldová, R. Kučerková, A. Beitlerová, I. Mattei, H. Buresova, R. Pjatkan, V. Cuba, L. Prouzova Prochazkova, M. Nikl
    On the Origin of the Light Yield Enhancement in Polymeric Composite Scintillators Loaded with Dense Nanoparticles
    Nano Letters 24 (2024) 8248-8256.
  11. X. Wang, T. Vaněk, F. Hájek, V. Jarý, T. Hubáček, A. Hospodková, F.C.-C. Ling, S. Xu
    Sub-bandgap excited photoluminescence probing of deep defect complexes in GaN doped by Si, Ge and C impurities
    Semiconductor Science and Technology 39 (2024) 105010(1)-105010(11).
  12. M. Buryi, Z. Remeš, F. Hájek, K. Kuldová, V. Babin, K. Děcká, Hadi Hematian, L. Landová, N. Neykova, Eva Horynová, B. Rezek
    Peculiarities Related to Er Doping of ZnO Nanorods Simultaneously Grown as Particles and Vertically Arranged Arrays
    Journal of Physical Chemistry C 127 (2023) 22177-22189.
  13. F. Hájek, V. Jarý, T. Hubáček, F. Dominec, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, T. Vaněk, M. Buryi, G. Ledoux, C. Dujardin
    Donor-Acceptor Pairs Recombination as the Origin of the Emission Shift In InGaN/GaN Scintillator Heterostructures Doped with Zn
    ECS Journal of Solid State Science and Technology 12 (2023) 066004-.
  14. T. Hubáček, K. Kuldová, Z. Gedeonová, F. Hájek, T. Košutová, S. Banerjee, P. Hubík, J. Pangrác, T. Vaněk, A. Hospodková
    Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers
    Journal of Crystal Growth 604 (2023) 127043(1)-127043(5).
  15. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, J. Mareš, J. Pangrác, F. Dominec, K. Kuldová, E. Hulicius
    Electron mobility in GaN layers and HEMT structure optimized by MOVPE technological parameters
    Journal of Crystal Growth 605 (2023) 127061-1-127061-7.
  16. M. Buryi, Y. Tratsiak, E. Trusov, V. Babin, J. Páterek, R. Kučerková, Z. Remeš, F. Hájek, L. Landová, J. Drahokoupil, S. Chertopalov
    Synthesis of the cerium doped Gd3Al3Ga2O12-based glass nanoceramics: Luminescence and optical absorption properties
    Radiation Measurements 163 (2023) 1069329(1)-1069329(11).
  17. A. Hanková, T. Košutová, J. Hanuš, A. Kuzminova, P. Pleskunov, M. Červená, P. Zeman, N. Khomiakova, F. Hájek, O. Kylián
    Morphological and structural evolution of gas-phase synthesized vanadium nanoparticle films induced by thermal treatment
    Materials Chemistry and Physics 301 (2023) 127587(1)-127587(7).
  18. M. Buryi, K. Pekárková, N. Neykova, L. Landová, F. Hájek, V. Babin, K. Děcká, R. K. Sharma, O. Pop-Georgievski
    Effect of UV Irradiation on the Growth of ZnO:Er Nanorods and Their Intrinsic Defects
    Chemosensors 11 (2023) 156(1)-156(16).
  19. A. Hospodková, F. Hájek, T. Hubáček, Z. Gedeonová, P. Hubík, M. Hývl, J. Pangrác, F. Dominec, T. Košutová
    Electron Transport Properties in HEMT structures improved by V-pit formation on AlGaN/GaN interface
    ACS Applied Materials and Interfaces 15 (2023) 19646-19652.
  20. M. Buryi, N. Neykova, K. Pekárková, Z. Remeš, K. Děcká, F. Hájek, A. Artemenko, J. Mičová, L. Landová, I. Jakubec
    Peculiarities of erbium incorporation into ZnO microrods at high doping level leading to upconversion and the morphology change. Influence on excitonic as well as shallow donor states
    Applied Surface Science 611 (2023) 155651(1)-155651(14).
  21. M. Buryi, V. Babin, T. Hubáček, V. Jarý, F. Hájek, K. Kuldová, Z. Remeš, A. Hospodková
    Optical properties of epitaxially grown GaN:Ge thin films
    Optical Materials: X 16 (2022) 100211(1)-100211(6).
  22. M. Buryi, T. Hubáček, F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, K. Kuldová, T. Vaněk
    Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells
    Journal of Physics: Conference Series 2413 (2022) 1-9.
  23. A. Hospodková, J. Čížek, F. Hájek, T. Hubáček, J. Pangrác, F. Dominec, K. Kuldová, J. Batysta, M.O. Liedke, E. Hirschmann, M. Butterling, A. Wagner
    Relation between Ga Vacancies, Photoluminescence, and Growth Conditions of MOVPE-Prepared GaN Layers
    Materials 15 (2022) 6916(1)-6916(13).
  24. K. Děcká, J. Král, F. Hájek, P. Průša, V. Babin, E. Mihóková, V. Čuba
    Scintillation Response Enhancement in Nanocrystalline Lead Halide Perovskite Thin Films on Scintillating Wafers
    Nanomaterials 12 (2022) 14-1-11.
  25. T. Vaněk, V. Jarý, T. Hubáček, F. Hájek, K. Kuldová, Z. Gedeonová, V. Babin, Z. Remeš, M. Buryi
    Acceleration of the yellow band luminescence in GaN layers via Si and Ge doping
    Journal of Alloys and Compounds 914 (2022) 165255-.
  26. M. Buryi, V. Babin, T. Hubáček, V. Jarý, F. Hájek, K. Kuldová, A. Artemenko, A. Hospodková
    The influence of Si on the properties of MOVPE grown GaN thin films: Optical and EPR study
    Radiation Measurements 157 (2022) 106842-.
  27. J. Pejchal, V. Babin, M. Buryi, V. Laguta, F. Hájek, J. Páterek, L. Prouzová Procházková, L. Havlák, V. Czerneková, V. Vaněček, V. Doležal, K. Rubešová, P. Zemenová, A. Falvey, R. Král, V. Pankratov, K. Chernenko
    Untangling the controversy on Ce3+ luminescence in LaAlO3 crystals
    Materials Advances 3 (2022) 3500-3512.
  28. Y. Tratsiak, E. Trusova, M. Buryi, V. Babin, F. Dominec, F. Hájek, G. Malashkevich
    The Effect of Be Co-Doping on Luminescence Properties of Gd3Al3Ga2O12:Ce Glass Ceramics
    physica status solidi (a) 219 (2022) 2200043(1)-2200043(6).
  29. M. Buryi, T. Salamakha, V. Babin, J. Páterek, F. Hájek, Z. Remeš, L. Landová, E. Trusova, Y. Tratsiak
    Stabilization of light emitting Eu2+ centers inside Ca(Sr)I2:Eu particles in glass ceramics. The preliminary concept of synthesis
    Ceramics International 47 (2021) 29232-29252.
  30. T. Vaněk, F. Hájek, F. Dominec, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Pangrác, T. Košutová, P. Kejzlar, P. Bábor, A. Lachowski, A. Hospodková
    Luminescence redshift of thick InGaN/GaN heterostructures induced by the migration of surface adsorbed atoms
    Journal of Crystal Growth 565 (2021) 126151(1)-126151(6).
  31. F. Hájek, A. Hospodková, P. Hubík, Z. Gedeonová, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová
    Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
    Semiconductor Science and Technology 36 (2021) 075016(1)-075016(9).
  32. F. Hájek, A. Hospodková, T. Hubáček, J. Oswald, J. Pangrác, F. Dominec, R. Horešovský, K. Kuldová
    Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells
    Journal of Luminescence 236 (2021) 118127(1)-118127(5).
  33. A. Hospodková, F. Hájek, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, K. Kuldová, J. Oswald, T. Vaněk, A. Vetuško, J. Čížek, M.O. Liedke, M. Butterling, A. Wagner
    A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures
    Journal of Crystal Growth 536 (2020) 125579(1)-125579(6).
  34. V. Jarý, A. Hospodková, T. Hubáček, F. Hájek, K. Blažek, M. Nikl
    Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures Grown on GaN and Sapphire Substrates
    IEEE Transactions on Nuclear Science 67 (2020) 974-977.
  35. K. Rubešová, J. Havlíček, V. Jakeš, L. Nádherný, J. Cajzl, D. Pánek, T. Parkman, A. Beitlerová, R. Kučerková, F. Hájek, M. Nikl
    Heavily Ce3+-doped Y3Al5O12 thin films deposited by a polymer sol–gel method for fast scintillation detectors
    CrystEngComm 21 (2019) 5115-5123.
  36. A. Hospodková, M. Slavická Zíková, T. Hubáček, J. Pangrác, K. Kuldová, F. Hájek, F. Dominec, A. Vetuško, S. Hasenöhrl
    Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE
    Lithuanian Journal of Physics 59 (2019) 179-186.
  37. T. Hubáček, A. Hospodková, J. Oswald, K. Kuldová, J. Pangrác, M. Slavická Zíková, F. Hájek, F. Dominec, N. Florini, Ph. Komninou, G. Ledoux, C. Dujardin
    Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface
    Journal of Crystal Growth 507 (2019) 310-315.
  38. M. Slavická Zíková, A. Hospodková, J. Pangrác, T. Hubáček, J. Oswald, K. Kuldová, F. Hájek, G. Ledoux, C. Dujardin
    Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties
    Journal of Crystal Growth 506 (2019) 8-13.
  39. T. Hubáček, A. Hospodková, K. Kuldová, J. Oswald, J. Pangrác, V. Jarý, F. Dominec, M. Slavická Zíková, F. Hájek, E. Hulicius, A. Vetuško, G. Ledoux, Ch. Dujardin, M. Nikl
    Advancement toward ultra-thick and bright InGaN/GaN structures with a high number of QWs
    CrystEngComm 21 (2019) 356-362.