Úkolem diplomové práce bude navrhnout a ve spolupráci s technology připravit nitridovou heterostrukturu s InGaN kvantovými jamami v GaN matrici na safírové podložce vhodnou pro scintilační aplikace. Součástí práce bude seznámit se s fyzikálními vlastnostmi nitridových polovodičů a technologií jejich přípravy metodou organokovové epitaxe i specifiky scintilátorových heterostruktur. Diplomant se zapojí aktivně do probíhajícího výzkumu a získá zkušenost s aktuálním vývojem součástky ve spolupráci s průmyslem. Na základě nabytých znalostí a zkušeností v dané fázi výzkumu diplomant navrhne několik typů heterostruktur s požadovanými vlastnostmi, které budou připraveny metodou MOVPE.
Cílem diplomové práce bude vyhodnotit na základě optické charakterizace, která z navržených heterostruktur je nejvýhodnější pro scintilační aplikace.